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电子元器件详细资料 » IC[28758] » SI5475BDC-T1-E3
型号:SI5475BDC-T1-E3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:8-SMD,扁平引线描述:MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)12V
电流_连续漏极(Id)0a025000C6A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C28 毫欧 @ 5.6A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大2221V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs40nC @ 8V
输入电容(Ciss)0a0Vds1400pF @ 6V
功率_最大6.3W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SMD,扁平引线
供应商设备封装1206-8 ChipFET?
包装带卷 (TR)

供应商

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深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
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SI5475BDC-T1-E3相关型号

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